MRFE6VP61K25H: 1.8-600 MHz,1250 W连续波,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管

特性
  • 未匹配的输入和输出,可利用更宽的频率范围
  • 器件可用于单端或推挽配置中
  • 工作电压最高可达50 VDD
  • 具有30-50 V的扩展功率范围
  • 适用于有适当偏置的线性应用。
  • 集成的ESD保护,带有增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。R6后缀 = 150个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘。
  • 这些产品包含在恩智浦产品长期供货计划中,自推出后至少保证10年供货。
NI-1230-4, NI-1230S-4, NI-1230S-4 Gull Package Images
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MRFE6VP61K25HR6, MRFE6VP61K25HR5, MRFE6VP61K25HSR5, MRFE6VP61K25GSR5 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V Wideband RF Power... (REV 4.1) PDF (916.8 kB) MRFE6VP61K25H [English]11 Mar 2014
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (3)
名称/描述Modified Date
98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins (REV G) PDF (47.5 kB) 98ASB16977C [English]05 Apr 2016
98ASA00459D, NI-C, 32.26x10.16x4.24, Pitch 13.72, 5 Pins (REV B) PDF (48.5 kB) 98ASA00459D [English]29 Feb 2016
98ARB18247C, NI-C, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins (REV H) PDF (44.6 kB) 98ARB18247C [English]23 Feb 2016
参考设计
订购信息
型号状态状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
MRFE6VP61K25GSR5Active1.8600506112501250 @ CW1-Tone22.9 @ 23074.60.15UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP61K25HR5Active1.8600506112501250 @ CW1-Tone22.9 @ 23074.60.15UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP61K25HSR5Active1.8600506112501250 @ CW1-Tone22.9 @ 23074.60.15UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP61K25HR6Active1.8600506112501250 @ CW1-Tone22.9 @ 23074.60.15UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP61K25HSR6No Longer Manufactured1.8600506112501250 @ CW1-Tone22.9 @ 23074.60.15UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP61K25KT-4No Longer Manufactured
MRFE6VP61K25TF-4No Longer Manufactured
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询PPT (°C)
NI-1230S-4 GULL98ASA00459DMPQ - 50 REELPOQ - 50 REELActiveMRFE6VP61K25GSR5MRFE6VP61K25GSR5.pdf260
NI-123098ASB16977CMPQ - 150 REELPOQ - 150 REELActiveMRFE6VP61K25HR6MRFE6VP61K25HR6.pdf260
MPQ - 50 REELPOQ - 50 REELActiveMRFE6VP61K25HR5MRFE6VP61K25HR5.pdf260
NI-1230S98ARB18247CMPQ - 50 REELPOQ - 50 REELActiveMRFE6VP61K25HSR5MRFE6VP61K25HSR5.pdf260
Migration Complete. No Longer Manufactured. View PCN and Replacement Part
Migration Complete. No Longer Manufactured. View PCN and Replacement Part
MRFE6VP61K25HSR6MRFE6VP61K25HSR6.pdf260
No Longer ManufacturedMRFE6VP61K25KT-4联系我们購入できません
No Longer ManufacturedMRFE6VP61K25TF-4联系我们購入できません
MRFE6VP61K25HR6, MRFE6VP61K25HR5, MRFE6VP61K25HSR5, MRFE6VP61K25GSR5 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V Wideband RF Power... mrfe6vp61k25h
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
87.5-108 MHz,1100 W连续波,50 V调频广播参考设计 MRFE6VP61K25H
170-230 MHz,225 W平均值,50 V VHF数字电视广播参考设计 MRFE6VP61K25H
98ASA00459D, NI-C, 32.26x10.16x4.24, Pitch 13.72, 5 Pins mrfe6vp61k25h
MRFE6VP61K25GSR5.pdf MRFE6VP61K25H
98ASB16977C, NI-C, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins MMRF1317H
MRFE6VP61K25HR6.pdf MRFE6VP61K25H
MRFE6VP61K25HR5.pdf MRFE6VP61K25H
98ARB18247C, NI-C, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins MMRF1317H
MRFE6VP61K25HSR5.pdf MRFE6VP61K25H
MRFE6VP61K25HSR6.pdf MRFE6VP61K25H