MRFE6VP6300H: 1.8-600 MHz,300 W,50 V宽带射频功率LDMOS

特性
  • 典型性能:VDD = 50 V,IDQ = 100 mA 信号类型 输出功率(W) f (MHz) Gps (dB) ηD (%) IRL (dB) 脉冲(100 µsec,20%占空比) 300峰值 230 26.5 74.0 –16 连续波 300平均值 130 25.0 80.0 –15
  • 在50 Vdc,230 MHz时,能承受65:1 VSWR的负载不匹配,所有相角。
    • 300 W连续波输出功率
    • 300 W脉冲峰值功率,20%占空比,100 µsec
  • 300 W连续波输出功率
  • 300 W脉冲峰值功率,20%占空比,100 µsec
  • 可在300 W连续波运行
  • 未匹配的输入和输出,可利用更宽的频率范围
  • 器件可用于单端或推挽配置中
  • 工作电压最高可达50 VDD
  • 具有30-50 V的扩展功率范围
  • 适用于有适当偏置的线性应用。
  • 集成的ESD保护
  • 增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 符合RoHS规范
  • 采用NI-780-4盘卷包装。R3后缀 = 250个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘。
  • 采用NI-780S-4盘卷包装。R3后缀 = 250个,32 mm卷带宽度,13英寸卷盘。
  • 这些产品包含在恩智浦产品长期供货计划中,自推出后至少保证10年供货。
NI-780-4, NI-780S-4 Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs (REV 1) PDF (1.0 MB) MRFE6VP6300H [English]29 Jul 2011
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (2)
名称/描述Modified Date
98ASA10718D, NI-C, 19.81x9.34x3.75, Pitch 4.44, 5 Pins (REV C) PDF (42.9 kB) 98ASA10718D [English]15 Aug 2016
98ASA10793D (REV A) PDF (47.9 kB) 98ASA10793D [English]21 Mar 2016
订购信息
型号状态状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
MRFE6VP6300HR5Active1.86005054.8300300 @ CW1-Tone25 @ 130800.19UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP6300HR3Active1.86005054.8300300 @ CW1-Tone25 @ 130800.19UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP6300HSR5Active1.86005054.8300300 @ CW1-Tone25 @ 130800.19UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP6300HSR3No Longer Manufactured1.86005054.8300300 @ CW1-Tone25 @ 130800.19UnmatchedABLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询PPT (°C)
NI-780-498ASA10793DMPQ - 250 REELPOQ - 250 REELActiveMRFE6VP6300HR3MRFE6VP6300HR3.pdf260
MPQ - 50 REELPOQ - 50 REELActiveMRFE6VP6300HR5MRFE6VP6300HR5.pdf260
NI-780S-498ASA10718DMPQ - 50 REELPOQ - 50 REELActiveMRFE6VP6300HSR5MRFE6VP6300HSR5.pdf260
Migration Complete. No Longer Manufactured. View PCN and Replacement Part
Migration Complete. No Longer Manufactured. View PCN and Replacement Part
MRFE6VP6300HSR3MRFE6VP6300HSR3.pdf260
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs mrfe6vp6300h
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
98ASA10793D MMRF1310H
MRFE6VP6300HR3.pdf MRFE6VP6300H
MRFE6VP6300HR5.pdf MRFE6VP6300H
98ASA10718D, NI-C, 19.81x9.34x3.75, Pitch 4.44, 5 Pins MMRF1310H
MRFE6VP6300HSR5.pdf MRFE6VP6300H
MRFE6VP6300HSR3.pdf MRFE6VP6300H