MRFE6VP61K25N: 1.8-600 MHz,1250 W连续波,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管

特性
  • 未匹配的输入和输出,可适用更宽的频率范围
  • 器件可用于单端或推挽配置中
  • 工作电压最高可达50 VDD
  • 特征参数取样自30 V至50 V,适用于更宽的功率范围
  • 适用于有适当偏置的线性应用。
  • 集成的ESD保护,带有增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 符合RoHS规范
  • 本产品包含在恩智浦产品长期供货计划中,自推出后至少保证15年供货。
  • 推荐的驱动器:AFT05MS004N (4 W)或MRFE6VS25N (25 W)
特性
  • 广播
    • FM广播
    • HF和VHF广播
  • FM广播
  • HF和VHF广播
  • 工业、科学和医疗(ISM)
    • CO2激光生成
    • 等离子蚀刻
    • 粒子加速器(同步加速器)
    • MRI
    • 工业加热/焊接
  • CO2激光生成
  • 等离子蚀刻
  • 粒子加速器(同步加速器)
  • MRI
  • 工业加热/焊接
  • 航空航天
    • VHF全向信标(VOR)
    • 气象雷达
  • VHF全向信标(VOR)
  • 气象雷达
  • 移动无线电
    • HF和VHF通信
    • PMR基站
  • HF和VHF通信
  • PMR基站
OM-1230-4L, OM-1230G-4L Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MRFE6VP61K25N, MRFE6VP61K25GN 1.8–600 MHz, 1250 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors Data Sheet (REV 2) PDF (984.9 kB) MRFE6VP61K25N [English]07 Apr 2015
应用说明 (2)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages (REV 3) PDF (910.7 kB) AN1907 [English]13 May 2009
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
白皮书 (1)
名称/描述Modified Date
Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper (REV 2) PDF (894.1 kB) RFPLASTICWP [English]24 Sep 2015
封装信息 (2)
名称/描述Modified Date
98ASA00818D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins (REV B) PDF (77.6 kB) 98ASA00818D [English]09 Mar 2016
98ASA00506D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins (REV C) PDF (72.8 kB) 98ASA00506D [English]15 Feb 2016
印刷电路板
电路图
订购信息
型号状态状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
MRFE6VP61K25NR6Active1.8600506112501250 @ PeakPulse23 @ 23072.30.06UnmatchedABLDMOS
MRFE6VP61K25GNR6Active1.8600506112501250 @ PeakPulse23 @ 23072.30.06UnmatchedABLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询MSLPPT (°C)
OM-1230G-4L98ASA00818DMPQ - 150 REELPOQ - 150 BOXActiveMRFE6VP61K25GNR6MRFE6VP61K25GNR6.pdf3260
OM-1230-4L98ASA00506DMPQ - 150 REELPOQ - 150 BOXActiveMRFE6VP61K25NR6MRFE6VP61K25NR6.pdf3260
MRFE6VP61K25N, MRFE6VP61K25GN 1.8–600 MHz, 1250 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors Data Sheet mrfe6vp61k25n
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages mrf1570n
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Products Selector Guide MMT20303H
Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper mrf1570n
MRFE6VP61K25N 87.5-108 MHz PCB DXF file MRFE6VP61K25N
MRFE6VP61K25N 230 MHz PCB DXF file MRFE6VP61K25N
MRFE6VP61K25N 87.5-108 MHz Heatsink Drawing MRFE6VP61K25N
98ASA00818D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins mrfe6vp61k25n
MRFE6VP61K25GNR6.pdf MRFE6VP61K25N
98ASA00506D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins mrfe6vp61k25n
MRFE6VP61K25NR6.pdf MRFE6VP61K25N