射频移动通信基础架构

450 - 1000 MHz
  • A2I08H040N: 728-960 MHz，9 W平均值，28 V Airfast LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • A2T07D160W04S: 716-960 MHz，30 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T07H310-24S: 716-960 MHz，47 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T08VD020N: 728-960 MHz，2 W平均值，48 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T09D400-23N: 716-960 MHz，93 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T09VD250N: 716-960 MHz，65 W平均值，48 V Airfast射频功率LDMOS晶体管
  • A2T09VD300N: 716-960 MHz，79 W平均值，48 V Airfast射频功率LDMOS晶体管
  • A2V09H300-04N: 720-960 MHz，79 W平均值，48 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT09H310-03S: 920-960 MHz, 56 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistors
  • AFT09S200W02N: 716-960 MHz，56 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT09S200W02S: 920-960 MHz，56 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT09S220-02N: 850-960 MHz，54 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT09S282N: 720-960 MHz，80 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT27S006N: 100-3600 MHz，28.8 dBm平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT27S010N: 100-3600 MHz，1.26 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFV09P350-04N: 720-960 MHz, 100 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistors
  • MD8IC925N: 728-960 MHz，2.5 W平均值，28 V单W-CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MD8IC970N: 850-940 MHz，35 W平均值，28 V LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MDE6IC9120N: 920-960 MHz, 25 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
  • MRF5S9070NR1: 880 MHz, 70 W, 26 V Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET
  • MRF5S9080N: 869-960 MHz, 80 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
  • MRF8P8300H: 790-820 MHz，96 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8P9040N: 728-960 MHz，4.0 W平均值，28 V CDMA，W-CDMA，LTE射频功率LDMOS晶体管
  • MRF8P9210N: 920-960 MHz，63 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS射频功率晶体管
  • MRF8P9300H: 920-960 MHz，100 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S7120N: 728-768 MHz，32 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S7170N: 728-768 MHz，50 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S7235N: 728-768 MHz，63 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S8260H: 850-895 MHz，70 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S9100H: 920-960 MHz，72 W连续波，28 V GSM，GSM EDGE射频功率LDMOS
  • MRF8S9102N: 865-960 MHz，28 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S9120N: 865-960 MHz，33 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S9170N: 920-960 MHz，50 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S9200N: 920-960 MHz，58 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S9202N: 920-960 MHz，58 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S9220H: 920-960 MHz，65 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S9232N: 865-960 MHz，63 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S9260H: 920-960 MHz，75 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF9030L: 945 MHz, 30 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs
  • MRF9030N: 945 MHz, 30 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs
  • MRF9060L: 945 MHz, 60 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs
  • MRFE6P9220H: 865-900 MHz，47 W平均值，28 V，单载波N-CDMA横向N信道射频功率MOSFET
  • MRFE6S8046N: 864-894 MHz, 35.5 W CW, 28 V GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
  • MRFE6S9045NR1: 880 MHz，10 W平均值，28 V，单载波N-CDMA横向N信道宽带射频功率MOSFET
  • MRFE6S9046N: 920-960 MHz，35.5 W连续波，28 V GSM，GSM EDGE横向N信道射频功率MOSFET
  • MRFE6S9060NR1: 880 MHz，14 W平均值，28 V，单载波N-CDMA横向N信道宽带射频功率MOSFET
  • MRFE6S9125N: 800 MHz，27 W平均值，28 V，单载波N-CDMA，GSM EDGE横向N信道射频功率MOSFET
  • MRFE6S9135H: 940 MHz，39 W平均值，28 V单载波W-CDMA横向N信道射频功率MOSFET
  • MRFE6S9160H: 880 MHz，35 W平均值，28 V，单载波N-CDMA横向N信道射频功率MOSFET
  • MRFE6S9205H: 880 MHz，58 W平均值，28 V，单载波W-CDMA横向N信道射频功率MOSFET
  • MW4IC915N: 860-960 MHz, 15 W, 26 V GSM/GSM EDGE, N-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
  • MW6S004NT1: 1-2000 MHz，4 W，28 V射频功率LDMOS
  • MW6S010N: 450-1500 MHz，10 W，28 V宽带射频功率LDMOS
  • MW7IC008N: 100-1000 MHz，8 W峰值，28 V LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MW7IC915N: 728-960 MHz，1.6 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MW7IC930N: 728-768 MHz，920-960 MHz，3.2 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MWE6IC9080N: 865-960 MHz，80 W连续波，28 V GSM，GSM EDGE LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MWE6IC9100N: 960 MHz，100 W，26 V GSM/GSM EDGE LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MWIC930N: 746-960 MHz, 30 W, 26-28 V Single N-CDMA, GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
1450 - 2200 MHz
  • A2G22S160-01S: 1800-2200 MHz，32 W平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管
  • A2G22S251-01S: 1805-2200 MHz，48W平均值，48 V Airfast®射频功率晶体管
  • A2I20D020N: 1400-2200 MHz，2.5 W平均值，28 V LDMOS宽带集成射频放大器
  • A2I20D040N: 1400-2200 MHz，5 W平均值，28 V LDMOS宽带集成射频放大器
  • A2I20H060N: 1800-2200 MHz，12 W平均值，28 V Airfast宽带集成射频LDMOS放大器
  • A2I20H080N: 1800-2200 MHz，13.5 W平均值，30 V Airfast LDMOS宽带集成射频放大器
  • A2I22D050N: 1800-2200 MHz，5.3 W平均值，28 V Airfast LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • A2T18H100-25S: 1805-1995 MHz，18 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T18H160-24S: 1805-1880 MHz，28 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T18H410-24S: 1805-1880 MHz，71 W平均值，28 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管
  • A2T18H450W19S: 1805-1880 MHz，89 W平均值，30 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管
  • A2T18H455W23N: 1805-1880 MHz，87 W平均值，31.5 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T18S160W31S: 1805-1995 MHz 32 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T18S162W31S: 1805-1880 MHz，32 W平均值，28 V Airfast®射频功率LDMOS
  • A2T18S165-12S: 1805-1995 MHz，38 W平均值，28 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管
  • A2T18S260-12S: 1805-1995 MHz 50 W平均值，28 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管
  • A2T18S260W12N: 1805-1880 MHz，56 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T20H160W04N: 1880-2025 MHz，28 W平均值，28 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管
  • A2T20H330W24N: 1880-2025 MHz，55 W平均值，28 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管
  • A2T20H330W24S: 1880-2025 MHz，58 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T21H100-25S: 2110-2170 MHz，18 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T21H360-23N: 2110-2200 MHz，63 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T21H360-24S: 2110-2170 MHz，63 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T21H410-24S: 2110-2170 MHz，72 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T21H450W19S: 2110-2200 MHz，89 W平均值，30 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管
  • A2T21S160-12S: 2110-2170 MHz，38 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T21S260-12S: 2110-2170 MHz，65 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A3T18H360W23S: 1805-1880 MHz，56 W 平均值，28 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管
  • A3T18H450W23S: 1805-1880 MHz, 89 W 平均值，31 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管
  • A3T21H450W23S: 2110-2200 MHz，89 W平均值，31 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管
  • AFT18H356-24S: 1805-1995 MHz，63 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT18H357-24N: 1805-1880 MHz，63 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT18H357-24S: 1805-1995 MHz，63 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT18HW355S: 1805-1880 MHz，63 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT18P350-4S2L: 1805-1880 MHz，63 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT18S230-12N: 1805-1880 MHz，50 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT18S230S: 1805-1880 MHz，50 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT18S260W31S: 1805-1995 MHz 50 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT18S290-13S: 1805-1995 MHz 63 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT20P060-4N: 1805-2170 MHz 6.3 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT20P140-4WN: 1880-2025 MHz，24 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT20S015N: 1805-2690 MHz 1.5 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT21H350W03S: 2110-2170 MHz，3 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT21S140W02S: 2110-2170 MHz，32 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT21S220W02S: 2110-2170 MHz，50 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT21S230-12S: 2110-2170 MHz，50 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT21S230S: 2110-2170 MHz，50 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT21S232S: 2110-2170 MHz，50 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT21S240-12S: 2110-2170 MHz，55 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT27S006N: 100-3600 MHz，28.8 dBm平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT27S010N: 100-3600 MHz，1.26 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • MD7IC18120N: 1805-1880 MHz，30 W平均值，28 V单W-CDMA LDMOS射频宽带集成功率放大器
  • MD7IC1812N: 1805-2170 MHz，1.3 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MD7IC2012N: 1805-2170 MHz，1.3 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MD7IC2050N: 1880-2100 MHz，10 W平均值，28 V单W-CDMA LDMOS射频宽带集成功率放大器
  • MD7IC21100N: 2110-2170 MHz，32 W平均值，28 V单W-CDMA LDMOS射频宽带集成功率放大器
  • MD7IC2250N: 2110-2170 MHz，5.3 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS射频宽带集成功率放大器
  • MD7IC2251N: 2110-2170 MHz，12 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS射频宽带集成功率放大器
  • MD7P19130H: 1930-1990 MHz, 40 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
  • MRF282ZR1: 2000 MHz, 10 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET
  • MRF5P21045NR1: 2110-2170 MHz, 10 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA, Dual Path Lateral N-Channel RF Power MOSFET
  • MRF5S19060N: 1930-1990 MHz, 12 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
  • MRF6S18060N: 1800-2000 MHz，60 W，26 V GSM/GSM EDGE射频功率LDMOS
  • MRF6S19060N: 1930-1990 MHz, 12 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
  • MRF6S19100H: 1930-1990 MHz，22 W平均值，28 V，双载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF6S19140H: 1930-1990 MHz，29 W平均值，28 V，双载波N-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF6S20010N: 1600-2200 MHz，10 W，28 V，GSM/GSM EDGE，单载波N-CDMA，双载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF6S21140H: 2110-2170 MHz，30 W平均值，28 V，双载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF7P20040H: 2010-2025 MHz，10 W平均值，32 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF7S16150H: 1600-1660 MHz, 32 W Avg., 28 V WiMAX Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
  • MRF7S18170H: 1805-1880 MHz, 50 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
  • MRF7S19080H: 1930-1990 MHz，24 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF7S19100N: 1930-1990 MHz，29 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF7S19120NR1: 1930-1990 MHz，36 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF7S19170H: 1930-1990 MHz，50 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF7S21080H: 2110-2170 MHz，22 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF7S21110H: 2110-2170 MHz, 33 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
  • MRF7S21150H: 2110-2170 MHz，44 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF7S21170H: 2110-2170 MHz，50 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8HP21080H: 2110-2170 MHz，16 W 平均值，28 V W-CDMA，LTE射频功率LDMOS
  • MRF8HP21130H: 2110-2170 MHz，28 W平均值，28 V W-CDMA，LTE射频功率LDMOS
  • MRF8P18265H: 1805-1880 MHz，72 W平均值，30 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8P20100H: 1805-2025 MHz，20 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8P20140WH: 1880-2025 MHz，24 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8P20160H: 1880-2025 MHz，37 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8P20161H: 1880-1920 MHz，37 W平均值，28 V单载波W-CDMA横向N信道射频功率MOSFET
  • MRF8P20165WH: 1930-1995 MHz，37 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S18120H: 1805-1880 MHz，72 W连续波，28 V GSM，GSM EDGE横向N信道射频功率MOSFET
  • MRF8S18210WHS: 1805 MHz-1995 MHz，50 W平均值，30 V单载波W-CDMA横向N信道射频功率MOSFET
  • MRF8S18260H: 1805-1880 MHz，74 W平均值，30 V单载波W-CDMA横向N信道射频功率MOSFET
  • MRF8S19140H: 1930-1990 MHz，34 W平均值，28 V单载波CDMA，W-CDMA，LTE横向N信道射频功率MOSFET
  • MRF8S19260H: 1930-1990 MHz，74 W平均值，30 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF8S21100H: 2110-2170 MHz，24 W平均值，28 V单载波W-CDMA，LTE横向N信道射频功率MOSFET
  • MRF8S21120H: 2110-2170 MHz，28 W平均值，28 V W-CDMA，LTE射频功率LDMOS
  • MRF8S21140H: 2110-2170 MHz，34 W平均值，28 V W-CDMA，LTE射频功率LDMOS
  • MRF8S21200H: 2110-2170 MHz，48 W平均值，28 V W-CDMA，LTE射频功率LDMOS
  • MW4IC2020N: 1805-1990 MHz, 20 W, 26 V, GSM/GSM EDGE, CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
  • MW5IC2030N: 1930-1990 MHz, 30 W, 26 V GSM/GSM EDGE, W-CDMA, PHS RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
  • MW6IC1940N: 1920-2000 MHz，40 W，28 V双载波W-CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MW6IC2015N: 1805-1990 MHz，15 W，26 V GSM/GSM EDGE，CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MW6S004NT1: 1-2000 MHz，4 W，28 V射频功率LDMOS
  • MW6S010N: 450-1500 MHz，10 W，28 V宽带射频功率LDMOS
  • MW7IC18100N: 1990 MHz，100 W，28 V GSM/GSM EDGE LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MW7IC2020N: 1805-2170 MHz，2.4 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MW7IC2040N: 1930-1990 MHz，1805-1880 MHz，4 W平均值，28 V，单载波W-CDMA，GSM EDGE，GSM LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MW7IC2220N: 2110-2170 MHz，2 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MW7IC2240N: 2110-2170 MHz，4 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器
2300 - 2690 MHz
  • A2G22S160-01S: 1800-2200 MHz，32 W平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管
  • A2G26H281-04S: 2496-2690 MHz，50 W 平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管
  • A2I25D012N: 2100-2900 MHz，2.2 W平均值，28 V Airfast LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • A2I25D025N: 100-3600 MHz，3.2 W平均值，28 V Airfast LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • A2I25H060N: 2300-2690 MHz，10.5 W 平均值，28 V AirfastLDMOS宽带集成射频功率放大器
  • A2T23H160-24S: 2300-2400 MHz，28 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T23H300-24S: 2300-2400 MHz，66 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T26H160-24S: 2496-2690 MHz，28 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T26H165-24S: 2496-2690 MHz，32W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A2T26H300-24S: 2496-2690 MHz，60 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • A3T26H200W24S: 2496-2690 MHz，37 W 平均值，28 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管
  • AFT23H160-25S: 2300-2400 MHz，32 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT23H200-4S2L: 2300-2400 MHz，45 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT23H201-24S: 2300-2400 MHz，45 W平均值，28 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管
  • AFT23S160W02S: 2300-2400 MHz，45 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT23S170-13S: 2300-2400 MHz，45 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT26H160-4S4: 2496-2690 MHz，32W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT26H200W03S: 2496-2690 MHz，45 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT26H250-24S: 2496-2690 MHz，50 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT26H250W03S: 2496-2690 MHz，50 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT26HW050S: 2496-2690 MHz，9 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT26P100-4WS: 2496-2690 MHz，22 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • MD7IC2755N: 2500-2700 MHz，10 W平均值，28 V WiMAX LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MRF6P27160HR6: 2600-2700 MHz, 35 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET
  • MRF6S27015N: 2300-2700 MHz，3 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS
  • MRF6S27085H: 2600-2700 MHz, 20 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
  • MRF7S27130H: 2500-2700 MHz，23 W平均值，28 V WiMAX射频功率LDMOS
  • MRF8P23080H: 2300-2400 MHz，16 W平均值，28 V单载波W-CDMA，LTE横向N信道射频功率MOSFET
  • MRF8P23160WH: 2300-2400 MHz，30 W平均值，28 V单载波W-CDMA横向N信道射频功率MOSFET
  • MRF8P26080H: 2500-2700 MHz，14 W平均值，28 V单载波W-CDMA，LTE横向N信道射频功率MOSFET
  • MRF8S26060H: 2620-2690 MHz，15.5 W平均值，28 V单载波W-CDMA，LTE射频功率LDMOS
  • MRF8S26120H: 2620-2690 MHz，28 W平均值，28 V单载波W-CDMA，LTE射频功率LDMOS
  • MW7IC2725N: 2500-2700 MHz，4 W平均值，28 V WiMAX LDMOS宽带射频集成功率放大器
3400 - 3800 MHz
  • A2G35S160-01S: 3400-3600MHz，32 W平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管
  • A2G35S200-01S: 3400-3600 MHz，40 W平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管
  • A2I35H060N: 3400-3800 MHz，10 W平均值，28 V Airfast LDMOS宽带集成射频放大器
  • AFT27S006N: 100-3600 MHz，28.8 dBm平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFT27S010N: 100-3600 MHz，1.26 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • MRF8S23120H: 2300-2400 MHz，28 W平均值，28 V LTE射频功率LDMOS
  • MW7IC2750N: 2500-2700 MHz，8 W平均值，28 V WiMAX LDMOS宽带射频集成功率放大器
  • MW7IC3825N: 3400-3600 MHz, 5 W Avg., 28 V WiMAX RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
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