MRF6S19140H: 1930-1990 MHz，29 W平均值，28 V，双载波N-CDMA射频功率LDMOS _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

MRF6S19140H: 1930-1990 MHz，29 W平均值，28 V，双载波N-CDMA射频功率LDMOS

特性

典型双载波N–CDMA性能：VDD = 28 V，IDQ = 1150 mA，平均输出功率 = 29 W，全频段，IS–95 (导频，同步，流量，寻呼，流量代码8-13)信道带宽 = 1.2288 MHz。PAR = 9.8 dB @ 0.01% CCDF。功率增益：16 dB 漏极效率：27.5% 2.5 MHz偏移时的IM3：1.2288 MHz信道带宽时为–37 dBc 885 kHz偏移时的ACPR：30 kHz信道带宽时为–51 dBc
在28 Vdc，1960 MHz，140 W连续波输出功率时，能承受10:1 VSWR
提供串联等效大信号阻抗参数
内部匹配，简便易用
工作电压最高可达32 VDD
集成的ESD保护
为Doherty应用进行了优化
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个，56 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

NI-880, NI-880S Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
MRF6S19140HR3, MRF6S19140HSR3 1930-1990 MHz, 29 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs (REV 5) PDF (415.5 kB) MRF6S19140H [English]	30 May 2007

应用说明 (1)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (2)

名称/描述	Modified Date
98ARB18660C, NI-C, 0.9x0.54x0.2, Pitch 1.4, 2 Pins (REV F) PDF (41.4 kB) 98ARB18660C [English]	01 Mar 2016
98ARB18493C, NI-C, 1.34x0.54x0.2, Pitch 1.44, 3 Pins (REV G) PDF (47.3 kB) 98ARB18493C [English]	04 Feb 2016

订购信息

型号	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MRF6S19140HSR3	Active	1930	1990	28	51.5	140	29 @ AVG	N-CDMA	16 @ 1990	27.5	0.38	I/O	AB	LDMOS
MRF6S19140HR3	No Longer Manufactured	1930	1990	28	51.5	140	29 @ AVG	N-CDMA	16 @ 1990	27.5	0.38	I/O	AB	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	PPT (°C)
NI-880S	98ARB18660C	MPQ - 250 REELPOQ - 250 REEL	Active	MRF6S19140HSR3	MRF6S19140HSR3.pdf		260
NI-880	98ARB18493C		No Longer Manufactured	MRF6S19140HR3	MRF6S19140HR3.pdf		260

MRF6S19140HR3, MRF6S19140HSR3 1930-1990 MHz, 29 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs mrf6s19140h

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

98ARB18660C, NI-C, 0.9x0.54x0.2, Pitch 1.4, 2 Pins mrf6s24140h

MRF6S19140HSR3.pdf MRF6S19140H

98ARB18493C, NI-C, 1.34x0.54x0.2, Pitch 1.44, 3 Pins mrf6s24140h

MRF6S19140HR3.pdf MRF6S19140H

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