MRF8S9170N: 920-960 MHz，50 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

MRF8S9170N: 920-960 MHz，50 W平均值，28 V单载波W-CDMA射频功率LDMOS

特性

典型单载波W-CDMA性能：VDD = 28 V，IDQ = 1000 mA，平均输出功率 = 50 W，IQ幅度削峰，信道带宽 = 3.84 MHz，输入信号PAR = 7.5 dB @ 0.01% CCDF。频率 Gps(dB) ηD(%) 输出PAR(dB) ACPR(dBc) 920 MHz19.336.56.0–36.6 940 MHz19.136.16.1–36.7 960 MHz18.936.06.0–36.1
在32 Vdc，940 MHz，250 W连续波输出功率(自额定输出功率3 dB输入过驱)时，能承受10:1 VSWR
1 dB压缩点时，典型连续波输出功率 ≃ 177 W
100%经过PAR测试，可保证输出功率容量
提供串联等效大信号阻抗参数和共源S参数
内部匹配，简便易用
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
为Doherty应用进行了优化
可耐225°C高温的塑料封装
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个，32 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

OM-780-2 Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
MRF8S9170NR3 920-960 MHz, 50 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET (REV 1) PDF (469.3 kB) MRF8S9170N [English]	19 May 2010

应用说明 (3)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages (REV 3) PDF (910.7 kB) AN1907 [English]	13 May 2009
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages (REV 0) PDF (413.2 kB) AN3789 [English]	12 Mar 2009

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (1)

名称/描述	Modified Date
98ASA10831D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 9.96, 2 Pins (REV C) PDF (68.6 kB) 98ASA10831D [English]	22 Mar 2016

订购信息

型号	状态	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MRF8S9170NR3	Active		920	960	28	52.5	177	50 @ AVG	W-CDMA	19.3 @ 920	36.5	0.38	I/O	AB	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	MSL	PPT (°C)
OM780-2 PLASTICS	98ASA10831D	MPQ - 250 REELPOQ - 250 REEL	Active	MRF8S9170NR3	MRF8S9170NR3.pdf		3	260

MRF8S9170NR3 920-960 MHz, 50 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET mrf8s9170n

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages mrf1570n

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages mrf1570n

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

98ASA10831D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 9.96, 2 Pins MMRF1017N

MRF8S9170NR3.pdf MRF8S9170N

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