AFT09S200W02S: 920-960 MHz，56 W平均值，28 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
特性
| NI-780S-2 Package Image |
数据手册 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| AFT09S200W02SR3 920-960 MHz, 56 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet (REV 0) PDF (533.8 kB) AFT09S200W02S [English] | 23 Apr 2015 |
应用说明 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
工程设计要点 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English] | 19 Jan 2004 |
选型工具指南 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
封装信息 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| 98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins (REV J) PDF (43.5 kB) 98ASB16718C [English] | 22 Mar 2016 |
订购信息
| 型号 | 状态 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | 输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal | 测试信号 | 功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 效率 (Typ) (%) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 匹配 | 类型 | 模具技术 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AFT09S200W02SR3 | Active | 920 | 960 | 28 | 51.7 | 148 | 56 @ AVG | W-CDMA | 19.4 @ 960 | 35.6 | 0.34 | I/O | AB | LDMOS |
封装环保信息
| 封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | PPT (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NI-780S | 98ASB16718C | MPQ - 250 REELPOQ - 250 REEL | Active | AFT09S200W02SR3 | AFT09S200W02SR3.pdf |   | 260 |
- AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
- Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
- RF Products Selector Guide MMT20303H
- 98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins MMRF1011H
- AFT09S200W02SR3.pdf AFT09S200W02S
