MRFE6S9125N: 800 MHz，27 W平均值，28 V，单载波N-CDMA，GSM EDGE横向N信道射频功率MOSFET

800 MHz时的典型单载波N–CDMA性能：VDD = 28 V，IDQ = 950 mA，平均输出功率 = 27 W，IS–95 CDMA (导频，同步，寻呼，流量代码8 - 13)信道带宽 = 1.2288 MHz。PAR = 9.8 dB @ 0.01% CCDF。功率增益：20.2 dB 漏极效率：31% 750 kHz偏移时的ACPR：30 kHz带宽时为–45.7 dBc
在32 Vdc，880 MHz，3 dB过驱时，能承受10:1 VSWR，旨在增强耐用性
典型GSM EDGE性能：VDD = 28 V，IDQ = 700mA，平均输出功率 = 60 W，全频段(865–960 MHz或920–960 MHz) 功率增益：20 dB 漏极效率：40% 400 kHz偏移时，频谱增生 = –63 dBc 600 kHz偏移时，频谱增生 = –78 dBc EVM：1.8% rms
典型GSM性能：VDD = 28 V，IDQ = 700mA，输出功率 = 125 W，全频段(920–960 MHz) 功率增益：19 dB 漏极效率：62%
提供串联等效大信号阻抗参数
内部匹配，简便易用
集成的ESD保护
可耐225°C高温的塑料封装
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀 = 500个，44 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

名称/描述	Modified Date
MRFE6S9125NR1, MRFE6S9125NBR1 880 MHz, 27 W Avg., 28 V Single N-CDMA, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs (REV 0) PDF (608.3 kB) MRFE6S9125N [English]	19 Oct 2007

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages (REV 3) PDF (910.7 kB) AN1907 [English]	13 May 2009
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages (REV 0) PDF (413.2 kB) AN3789 [English]	12 Mar 2009
Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages (REV 0) PDF (8.2 MB) AN3263 [English]	07 Jun 2006

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

名称/描述	Modified Date
98ASA10575D, TO, 23.0x8.0x2.59, Pitch 12.0, 4 Pins (REV F) PDF (73.4 kB) 98ASA10575D [English]	17 Mar 2016
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins (REV F) PDF (75.9 kB) 98ASA10577D [English]	18 Jan 2016

型号	状态	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MRFE6S9125NR1	Active		865	960	28	51	125	27 @ AVG	N-CDMA	20.2 @ 880	31	0.45	Input	AB	LDMOS
MRFE6S9125NBR1	Active		865	960	28	51	125	27 @ AVG	N-CDMA	20.2 @ 880	31	0.45	Input	AB	LDMOS

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	MSL	PPT (°C)
TO-272 WB-4	98ASA10575D	MPQ - 500 REELPOQ - 500 BOX	Active	MRFE6S9125NBR1	MRFE6S9125NBR1.pdf		3	260
TO-270 WB-4	98ASA10577D	MPQ - 500 REELPOQ - 500 BOX	Active	MRFE6S9125NR1	MRFE6S9125NR1.pdf		3	260