A2V09H300-04N: 720-960 MHz，79 W平均值，48 V Airfast LDMOS射频功率晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

A2V09H300-04N: 720-960 MHz，79 W平均值，48 V Airfast LDMOS射频功率晶体管

特性

先进的高性能内部封装Doherty
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
符合RoHS规范

OM-780-4L Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
A2V09H300-04N 720-960 MHz, 79 W Avg, 48 V Data Sheet (REV 0) PDF (467.1 kB) A2V09H300-04N [English]	17 Feb 2016

应用说明 (1)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (1)

名称/描述	Modified Date
98ASA10833D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins (REV B) PDF (69.8 kB) 98ASA10833D [English]	22 Mar 2016

印刷电路板

A2V09H300-04N 900 MHz PCB DXF file (REV 0) ZIP A2V09H300-04N_900_PCB 2/17/2016

订购信息

型号	状态	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
A2V09H300-04NR3	Active		720	960	48	53.5	223	79 @ AVG	W-CDMA	19.7 @ 940	55.9	0.34	Input	AB	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	MSL	PPT (°C)
OM780-4 PLASTIC	98ASA10833D	MPQ - 250 REELPOQ - 250 BOX	Active	A2V09H300-04NR3	A2V09H300-04NR3.pdf		3	260

A2V09H300-04N 720-960 MHz, 79 W Avg, 48 V Data Sheet A2V09H300-04N

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

A2V09H300-04N 900 MHz PCB DXF file A2V09H300-04N

98ASA10833D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins MMRF1020-04N

A2V09H300-04NR3.pdf A2V09H300-04N

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