MRF8P23160WH: 2300-2400 MHz，30 W平均值，28 V单载波W-CDMA横向N信道射频功率MOSFET

典型单载波W-CDMA性能：VDD = 28 V，IDQA = 600 mA，VGSB = 1.2 Vdc，平均输出功率= 30 W，IQ幅度削峰，信道带宽 = 3.84 MHz，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。频率 Gps(dB) ηD(%) 输出PAR(dB) ACPR(dBc) 2300 MHz13.937.17.9–31.0 2350 MHz14.138.37.7–32.2 2400 MHz13.838.37.4–33.1
在30 Vdc，2350 MHz，144 W连续波输出功率(3 dB过驱额定输出功率)时，能承受10:1 VSWR
3 dB压缩点时，典型连续波输出功率 ≃ 190 W
专为宽瞬时带宽应用而设计
专为需要100 MHz信号带宽的宽频应用而设计
生产测试在对称Doherty配置中进行
100%经过PAR测试，可保证输出功率能力
提供大信号负载牵引参数和共源S参数
内部匹配，简便易用
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
符合RoHS规范
采用NI-780-4盘卷包装。R3后缀 = 250个，56 mm卷带宽度，13英寸卷盘。采用NI-780S-4盘卷包装。R3后缀 = 250个，32 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

名称/描述	Modified Date
MRF8P23160WHR3, MRF8P23160WHSR3 2300-2400 MHz, 30 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs (REV 0) PDF (548.5 kB) MRF8P23160WH [English]	16 Dec 2011

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

名称/描述	Modified Date
98ASA10718D, NI-C, 19.81x9.34x3.75, Pitch 4.44, 5 Pins (REV C) PDF (42.9 kB) 98ASA10718D [English]	15 Aug 2016
98ASA10793D (REV A) PDF (47.9 kB) 98ASA10793D [English]	21 Mar 2016

型号	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MRF8P23160WHSR3	Active	2300	2400	28	51.8	150	30 @ AVG	W-CDMA	14.1 @ 2320	36.5	0.69	I/O	AB	LDMOS
MRF8P23160WHR3	No Longer Manufactured	2300	2400	28	51.8	150	30 @ AVG	W-CDMA	14.1 @ 2320	36.5	0.69	I/O	AB	LDMOS
MRF8P23160WHSR5	No Longer Manufactured	2300	2400	28	51.8	150	30 @ AVG	W-CDMA	14.1 @ 2320	36.5	0.69	I/O	AB	LDMOS
MRF8P23160WHR5	No Longer Manufactured	2300	2400	28	51.8	150	30 @ AVG	W-CDMA	14.1 @ 2320	36.5	0.69	I/O	AB	LDMOS

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	PPT (°C)
NI-780HS-4	98ASA10718D	MPQ - 250 REELPOQ - 250 REEL	Active	MRF8P23160WHSR3	MRF8P23160WHSR3.pdf	260
NI-780HS-4	98ASA10718D		No Longer Manufactured	MRF8P23160WHSR5	MRF8P23160WHSR5.pdf	260
NI 780H-4	98ASA10793D	MPQ - 250 REELPOQ - 250 REEL	No Longer Manufactured	MRF8P23160WHR3	MRF8P23160WHR3.pdf	260
NI 780H-4	98ASA10793D		No Longer Manufactured	MRF8P23160WHR5	MRF8P23160WHR5.pdf	260