MRF8P9210N: 920-960 MHz，63 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS射频功率晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

MRF8P9210N: 920-960 MHz，63 W平均值，28 V单载波W-CDMA LDMOS射频功率晶体管

特性

典型单载波W-CDMA性能：VDD = 28 V，IDQA = 750 mA，VGSB = 1.2 Vdc，平均输出功率 = 63 W，IQ幅度削峰，信道带宽 = 3.84 MHz，输入信号PAR = 7.5 dB @ 0.01% CCDF。频率 Gps(dB) ηD(%) 输出PAR(dB) ACPR(dBc) 920 MHz16.546.26.2–31.3 940 MHz16.947.76.0–32.6 960 MHz16.747.45.8–34.4
在32 Vdc， 960 MHz，253 W连续波输出功率(3 dB过驱额定输出功率)时，能承受10:1 VSWR，旨在增强耐用性。
3 dB压缩点时，典型输出功率≃ 290 W
生产测试在对称Doherty配置中进行
100%经过PAR测试，可保证输出功率能力
提供大信号负载牵引参数和共源S参数
内部匹配，简便易用
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
可耐225°C高温的塑料封装
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个，32 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

OM-780-4 Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
MRF8P9210NR3 920-960 MHz, 63 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF Power LDMOS Transistor (REV 0) PDF (705.1 kB) MRF8P9210N [English]	14 Dec 2011

应用说明 (3)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages (REV 3) PDF (910.7 kB) AN1907 [English]	13 May 2009
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages (REV 0) PDF (413.2 kB) AN3789 [English]	12 Mar 2009

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (1)

名称/描述	Modified Date
98ASA10833D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins (REV B) PDF (69.8 kB) 98ASA10833D [English]	22 Mar 2016

印刷电路板

MRF8P9210N CAD DXF File (REV 0) ZIP MRF8P9210N_DXF_PCB 12/15/2011

订购信息

型号	状态	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
MRF8P9210NR3	Active		920	960	28	52.9	193	63 @ AVG	W-CDMA	16.7 @ 960	47.4	0.53	I/O	AB, C	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	MSL	PPT (°C)
OM780-4 straight Cu	98ASA10833D	MPQ - 250 REELPOQ - 250 REEL	Active	MRF8P9210NR3	MRF8P9210NR3.pdf		3	260

MRF8P9210NR3 920-960 MHz, 63 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF Power LDMOS Transistor MRF8P9210N

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages mrf1570n

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages mrf1570n

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

MRF8P9210N CAD DXF File MRF8P9210N

98ASA10833D, OMNI, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins MMRF1020-04N

MRF8P9210NR3.pdf MRF8P9210N

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