MRFG35003N6AT1: 3.5 GHz，3 W，6 V功率FET GaAs pHEMT
特性
| PLD 1.5 Package Image |
数据手册 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| MRFG35003N6AT1, 3.5 GHz, 3 W, 6 V Power FET GaAs PHEMT (REV 2) PDF (221.0 kB) MRFG35003N6A [English] | 19 Jun 2009 |
应用说明 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
简介 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| Power GaAs pHEMT Fact Sheet (REV 0) PDF (294.7 kB) GAASPHEMTFS [English] | 12 Apr 2012 |
选型工具指南 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
封装信息 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| 98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins (REV E) PDF (51.5 kB) 98ASB15740C [English] | 22 Mar 2016 |
订购信息
| 型号 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Min-Max) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | 测试信号 | 增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRFG35003N6AT1 | Active | 500 | 5000 | 6 to 6 | 34.8 | W-CDMA | 10 @ 3550 | 5.9 | AB |
封装环保信息
| 封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | MSL | PPT (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PLD-1.5 | 98ASB15740C | MPQ - 1000 REELPOQ - 1000 BOX | Active | MRFG35003N6AT1 | MRFG35003N6AT1.pdf |  | 3 | 260 |
- MRFG35003N6AT1, 3.5 GHz, 3 W, 6 V Power FET GaAs PHEMT MRFG35003N6AT1
- AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
- Power GaAs pHEMT Fact Sheet MMG3014NT1
- RF Products Selector Guide MMT20303H
- 98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins MRFG35003N6AT1
- MRFG35003N6AT1.pdf MRFG35003N6AT1
