SiC功率模块 BSM180D12P2C101

使用罗姆公司生产SiC-DMOSFET的半桥构成SiC MOSFET模块: BSM180D12P2C101

型号Status封装包装数量最小独立包装数量包装形态RoHS
BSM180D12P2C101供应中C1212TrayYes

BSM180D12P2C101 数据手册 Data Sheet

技术特性
Drain-source Voltage[V]1200
Drain Current[A]180.0
Total Power Dissipation[W]1130
Junction Temperature(Max.)[°C]150
Storage Temperature (Min.)[°C]-40
Storage Temperature (Max.)[°C]125
技术资料下载
引脚配置图
相关产品
PART NUMBERProduct SeriesDatasheet
S4002SiC MOSFET Bare DieDatasheet
SCS306APSiC肖特基二极管Datasheet
SCS308APSiC肖特基二极管Datasheet
SCS310APSiC肖特基二极管Datasheet
SCT3017ALSiCMOSFETDatasheet
SCT3022ALSiCMOSFETDatasheet
BSM180D12P2C101 BSM180D12P2C101
SCS306AP SCS306AP
SCS308AP SCS308AP
SCS310AP SCS310AP
SCT3017AL SCT3017AL
SCT3022AL SCT3022AL
SPICE Simulation Evaluation Circuit BSM180D12P2C101
Spice Model (lib) BSM180D12P2C101
Thermal Model (lib) BSM180D12P2C101
使用手册 SCS240KE2
NE 手册系列 SCS240KE2
产品目录 SCS240KE2
Product Catalog File BSM180D12P2C101