SiC功率模块 BSM180D12P3C007 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

SiC功率模块 BSM180D12P3C007

使用罗姆公司生产SiC-UMOSFET的半桥构成SiC MOSFET模块： BSM180D12P3C007 。

型号	Status	封装	包装数量	最小独立包装数量	包装形态	RoHS
BSM180D12P3C007	供应中	C	12	12	Tray	Yes

BSM180D12P3C007 数据手册 Data Sheet

技术特性

Drain-source Voltage[V]	1200
Drain Current[A]	180.0
Total Power Dissipation[W]	880
Junction Temperature(Max.)[°C]	175
Storage Temperature (Min.)[°C]	-40
Storage Temperature (Max.)[°C]	125

技术资料下载

产品特点

Low surge, low switching loss.
High-speed switching possible.
Reduced temperature dependance.

引脚配置图

BSM180D12P3C007

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BSM180D12P3C007 BSM180D12P3C007

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Spice Model BSM180D12P3C007

Thermal Model BSM180D12P3C007

使用手册 SCS240KE2

NE 手册系列 SCS240KE2

产品目录 SCS240KE2

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