FDD4141_F085: -40 V、-12.7 A、12.3 mΩ、DPAKP 沟道 PowerTrench®

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆专有的 PowerTrench® 技术生产，用以提供低 rDS(on)和优化的 Bvdss 能力，以便在应用中提供卓越的性能优势，并提供优化后的开关性能，从而减少转换器/逆变器应用中的功耗损失。

特性

• 最大 r_DS(on) = 12.3 mΩ （V_GS = -10 V、I_D = -12.7 A）
• V_GS = -4.5V且ID = -10.4A时，最大r_DS(on) = 18.0m_Ω
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合 RoHS 标准