FDG6301N_F085: 25 V、0.22 A、2.6 Ω、SC-70-6、逻辑电平双 N 沟道平面型

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。

特性

• 25 V、0.22 A 持续电流，0.65 A 峰值。
• R_DS(ON) = 4 W Ω V_GS= 4.5 V，
• R_DS(ON) = 5 W Ω V_GS= 2.7 V。
• 极低电平的栅极驱动要求允许直接在 3 V 电路 (V_GS(th) < 1.5 V) 中进行操作。
• 栅源齐纳二极管可实现ESD稳固性（>6kV人体模型）。
• 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合 RoHS 标准