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FAIRCHILD 飞兆半导体
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FDP2710_F085: 250 V、50 A、38 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench®
这一N沟道 MOSFET 器件采用飞兆的先进 PowerTrench 工艺生产,该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
数据手册DataSheet
FDP2710_F085.pdf
特性
典型r
DS(on)
= 38mΩ (V
GS
= 10V, I
D
= 50A 时)
在V
GS
= 10V时,Q
g(TOT)
= 78nC(典型值)
快速开关速度
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(on)
高功率和高电流处理能力
符合 AEC Q101 标准
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDP2710_F085
量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS
$2.165
TO-220 3L - 4.83 x 10.16 x 8.89mm, 管装
TO-220 3L 示意图
最后更新: 2015年11月
TO220-3L, JEDEC VARIATION, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年10月
TO Tube Packing Drawing
最后更新: 2015年9月
TO Vacuum Packing Drawing
最后更新: 2015年9月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDP
第三行
2710
FDP2710_F085.pdf
TO-220 3L Drawing
Last Update: Nov 2015
TO220-3L, JEDEC VARIATION, PACKING DRAWING
Last Update: Oct 2013
TO Tube Packing Drawing
Last Update: Sep 2015
TO Vacuum Packing Drawing
Last Update: Sep 2015
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