FDS9958_F085: -60 V 双 P-沟道 PowerTrench®

这些 P-沟道逻辑电平 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最小化通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的

此类器件非常适合便携式电子应用： 负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 105 mΩ（V_GS = -10 V、I_D = -2.9 A
  ）
• 最大值 r_DS(on) = 135 mΩ（V_GS = -4.5 V、I_D = -2.5 A
  ）
• 符合 AEC Q101
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes