FGA30N120FTD:1200V，30A，场截止沟道IGBT
FGA30N120FTD 飞兆半导体®的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。 该器件可并行配置极好的雪崩耐用性。 该器件为感应加热和微波炉设计。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FGA30N120FTDTU | 量产 | $4.44 | TO-3P 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGA30N120 第三行:FTD |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.38 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 1200V，30A，场截止沟道IGBT | FGA30N120FTD | 1 |
