FGA30N60LSD FGA30N60LSD IGBT 使用飞兆半导体®的先进 PT 技术,提供卓越的传导性能,从而为光伏逆变器和 UPS 等低传导损耗为最重要因素的中频开关应用提供最佳性能
技术特性
应用
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实物参考图 |
产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
FGA30N60LSDTU | 量产 | $8.01 | TO-3P 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGA30N60 第三行:LSD |
FIT : 1.7 RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.26 °C/W |
概述 | 文档编号 | 版本 |
600V, 30A, PT IGBT | FGA30N60LSD | 1 |