FGA60N65SMD:650V，60A，场截止IGBT
FGA60N65SMD 飞兆半导体®的场截止第二代IGBT新系列采用新型场截止IGBT技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、感应加热、通讯、ESS和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FGA60N65SMD | 量产 | $4.03 | TO-3P 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGA60N65 第三行:SMD |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.25 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 650V，60A，场截止IGBT | FGA60N65SMD | 1 |
