FGB20N60SFD:600V,20A,场截止 IGBT

FGB20N60SFD 飞兆半导体®的场截止IGBT系列采用新型场截止IGBT技术,为光伏逆变器、UPS、焊机和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

技术特性
  • 高电流能力
  • 低饱和电压: VCE(sat) =2.2V @ IC = 20A
  • 高输入阻抗
  • 快速开关: EOFF =8uJ/A
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 其他工业
实物参考图

FGB20N60SFD 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGB20N60SFD 量产 $1.75 TO-263 2L (D2PAK) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGB
第三行:20N60SFD
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.6  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  1  
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概述 文档编号 版本
600V,20A,场截止 IGBT FGB20N60SFD 1