FGB40N60SM:600V，40A，场截止 IGBT
FGB40N60SM 飞兆半导体®的电场截止第二代IGBT新系列采用的是新颖的电场截止型IGBT技术，为低导通和开关损耗的焊接和PFC应用提供最优性能。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FGB40N60SM | 量产 | $2.05 | TO-263 2L (D2PAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGB 第三行:40N60SM |
RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 0.43 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-4155 | 适用于感应加热应用的飞兆半导体第二代、场截止、阳极短路、沟道 IGBT(650 K) 2013年7月10日 |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 600V，40A，场截止 IGBT | FGB40N60SM | 1 |
