FGB7N60UNDF 飞兆半导体的NPT IGBT产品采用先进的NPT IGBT技术,为低损耗和短路耐用性极为重要的低功率逆变器驱动应用提供最佳性能
技术特性
应用
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实物参考图 |
产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
FGB7N60UNDF | 量产 | $0.87 | TO-263 2L (D2PAK) 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGB7N60 第三行:UNDF |
FIT : 1.7 RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 1.5 °C/W |
概述 | 文档编号 | 版本 |
600V,7A,短路额定IGBT | FGB7N60UNDF | 1 |