FGH40N65UFD 飞兆半导体®的场截止IGBT系列采用新型场截止IGBT技术,为光伏逆变器、UPS、焊机和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
技术特性
应用
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实物参考图 |
产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
FGH40N65UFDTU | 量产 | $3.6 | TO-247 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGH40N65 第三行:UFD |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.43 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
概述 | 文档编号 | 版本 |
650V,40A,场截止IGBT | FGH40N65UFD | 1 |