FGH40T120SMD:1200V、40A FS沟道IGBT

FGH40T120SMD 通过采用创新的场截止沟道 IGBT技术,飞兆半导体®新型系列的场截止沟道IGBT可为太阳能变频器、UPS、焊机和PFC等硬开关应用提供最佳性能

技术特性
  • FS沟道技术,正温度系数
  • 高速开关
  • 低饱和电压: VCE(sat)= 1.8 V @ IC = 40 A
  • ILM(1)部件100%检测
  • 高输入阻抗
  • 符合 RoHS 标准
实物参考图 reference drawing

FGH40T120SMD 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGH40T120SMD 量产 N/A TO-247 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGH40T120
第三行:SMD
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.27  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
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概述 文档编号/大小 版本
1200V、40A FS沟道IGBT FGH40T120SMD(417.0kB) 1