FGH50N3 该 IGBT 使用飞兆半导体®的平面技术,非常适合许多工作频率高,而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。此器件已进行优化,适用于高频开关模式电源
技术特性
应用
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实物参考图 |
产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
FGH50N3 | 量产 | $5.9 | TO-247 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGH50N3 |
FIT : 5.1 RƟJC : 0.27 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
概述 | 文档编号 | 版本 |
300V, SMPS IGBT | FGH50N3 | 1 |