FGH50N3:300V, SMPS IGBT

FGH50N3 该 IGBT 使用飞兆半导体®的平面技术,非常适合许多工作频率高,而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。此器件已进行优化,适用于高频开关模式电源

技术特性
  • 低饱和电压:VCE(sat) = 1.4V(最大值)
  • Low EOFF = 6.6µJ/A
  • SCWT = 8µs@ = 125°C
  • 300V开关SOA能力
  • 高于50A电流的正温度系数
应用
  • 其他工业
实物参考图

FGH50N3 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGH50N3 量产 $5.9 TO-247 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGH50N3
FIT :  5.1  
RƟJC :  0.27  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
数据资料DataSheet下载
概述 文档编号 版本
300V, SMPS IGBT FGH50N3 1