FGH80N60FD2:600 V 场截止 IGBT
FGH80N60FD2 飞兆半导体®的场截止IGBT系列采用新型场截止IGBT技术，为感应加热和功率因数校正(PFC)等低导通损耗和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FGH80N60FD2TU | 量产 | $3.15 | TO-247 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGH80N60 第三行:FD2 |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.43 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 600 V 场截止 IGBT | FGH80N60FD2 | 1 |
