FGP5N60LS:600V,5A,场截止IGBT

FGP5N60LS 飞兆半导体®新型系列场截止IGBT产品采用新型场截止IGBT技术,为HID镇流器等低导通损耗至关重要的应用提供最佳性能。

技术特性
  • 高电流能力
  • 低饱和电压: VCE(sat) =1.7V @ IC = 5A
  • 高输入阻抗
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 其他工业
实物参考图

FGP5N60LS 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGP5N60LS 量产 $0.72 TO-220 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGP
第三行:5N60LS
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  1.5  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
数据资料DataSheet下载
概述 文档编号 版本
600V,5A,场截止IGBT FGP5N60LS 1