FGPF50N33BT 飞兆半导体®的新型系列沟道IGBT产品采用新型沟道IGBT技术,为PDP TV等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能
技术特性
应用
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实物参考图 |
产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
FGPF50N33BTTU | 量产 | $1.15 | TO-220F 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGPF50N33 第三行:BT |
FIT : 5.7 RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 2.9 °C/W |
概述 | 文档编号 | 版本 |
330 V PDP 沟道 IGBT | FGPF50N33BT | 1 |