HGTG18N120BND:1200V, NPT IGBT

HGTG18N120BND  基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等,而低传导损耗又至关重要的高压开关应用,如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

技术特性
  • 54A, 1200V, TC = 25&°C
  • 1200V开关SOA能力
  • 典型下降时间。. . . . . . . . . . . . . . TJ= 150&°C时为140ns
  • 短路额定值
  • 低传导损耗
应用
  • 不间断电源
实物参考图

HGTG18N120BND 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
HGTG18N120BND 量产 $6.59 TO-247 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:18N120BND
FIT :  2.6  
RƟJC :  0.32  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
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概述 文档编号 版本
1200V, NPT IGBT HGTG18N120BND 1