LTC4444-5 - 高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

LTC®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。

LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。

LTC4444-5 包含欠压闭锁电路,用于在器件启动时停用外部 MOSFET。LTC4444-5 还内置了自适应贯通保护功能,用于阻止两个 MOSFET 同时传导。

如需了解该产品系列的相似驱动器,请查阅下表。

特点
  • 自举电源电压至 114V
  • 宽 VCC 电压:4.5V 至 13.5V
  • 自适应贯通保护功能
  • 1.4A 峰值顶端栅极上拉电流
  • 1.75A 峰值底端栅极上拉电流
  • 1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
  • 0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
  • 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
  • 欠压闭锁功能
  • 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
典型应用
LTC4444-5 Typical Application
LTC4444-5 Typical Application
应用
  • 分布式电源架构
  • 汽车电源
  • 高密度电源模块
  • 电信系统
封装信息
LTC4444-5 Package Drawing
Order Information 订购型号
器件型号封装温度价格 (以 1 ~ 99 片为批量)价格 (以 1000 片为批量) *
LTC4444EMS8E-5#PBFMS-8E$2.42$1.69
LTC4444EMS8E-5#TRPBFMS-8E$1.75
LTC4444HMS8E-5#PBFMS-8H$2.86$2.00
LTC4444HMS8E-5#TRPBFMS-8H$2.06
LTC4444IMS8E-5#PBFMS-8I$2.59$1.81
LTC4444IMS8E-5#TRPBFMS-8I$1.87
LTC4444MPMS8E-5MS-8MP$4.11$2.88
LTC4444MPMS8E-5#PBFMS-8MP$4.11$2.88
LTC4444MPMS8E-5#TRMS-8MP$2.94
LTC4444MPMS8E-5#TRPBFMS-8MP$2.94
数据表
可靠性数据
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CAD 符号
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R419 Reliability Data
100V High Speed Synchronous N-Channel MOSFET Driver Operates from -55°C to 125°C
100V High Speed Synchronous N-Channel MOSFET Drivers Operate from -40°C to 150°C
LTC4444-5 Footprints and Symbols