数据手册：MAX5078 4A、20ns、MOSFET驱动器，采用3mm x 3mm TDFN功率封装，适用于结构紧凑的高频电源 .pdf [英文Rev.2(PDF,266.2kB)]
数据手册：MAX5078 4A、20ns、MOSFET驱动器，采用3mm x 3mm TDFN功率封装，适用于结构紧凑的高频电源 .pdf [中文Rev.1(PDF,864kB)]
{该产品的所有型号不推荐用于新的设计，推荐替代产品请查看订购信息。}MAX5078A/MAX5078B高速MOSFET驱动器可供出或吸收4A的峰值电流。这些器件在驱动5000pF容性负载时具有20ns的快速传输特性和20ns的上升、下降时间。传输延时最小，并在反相和同相输入之间保持匹配。较高的供出和吸收峰值电流能力、低传输延时和高热效封装使MAX5078A/MAX5078B十分适合高频和大功率电路。 MAX5078A/MAX5078B采用4V至15V单电源工作，没有开关操作时消耗电源电流仅40µA (典型值)。这些器件的内部逻辑电路可防止输出级发生穿通，在高开关频率下有助于降低工作电流。逻辑输入带有保护功能，防止电压高于+18V，而且与VDD电压无关。MAX5078A具有CMOS输入逻辑电平，MAX5078B则具有兼容于TTL电平的输入逻辑。 MAX5078A/MAX5078B提供反相输入和同相输入，对MOSFET的控制具有更大的灵活性。它们采用6引脚TDFN (3mm x 3mm)封装，工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。
产品关键特性
| 应用与使用范围
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典型工作电路
芯片订购型号
| 订购型号 | 产品状态 | 封装形式 | 工作温度 | RoHS/无铅 |
| MAX5078AATT+ | NRND | MAX15024 | TDFN-EP；6引脚；9.6mm²封装信息 | -40°C至+125°C |
| MAX5078AATT+T | NRND | MAX15024 | TDFN-EP；6引脚；9.6mm²封装信息 | -40°C至+125°C |
| MAX5078AATT-T | NRND | MAX15024 | TDFN-EP；6引脚；9.6mm²封装信息 | -40°C至+125°C |
| MAX5078BATT+ | NRND | MAX15024 | TDFN-EP；6引脚；9.6mm²封装信息 | -40°C至+125°C |
| MAX5078BATT+T | NRND | MAX15024 | TDFN-EP；6引脚；9.6mm²封装信息 | -40°C至+125°C |
| MAX5078BATT-T | NRND | MAX15024 | TDFN-EP；6引脚；9.6mm²封装信息 | -40°C至+125°C |
| MAX5078BATT/V+T | NRND | MAX15024 | TDFN-EP；6引脚；9.6mm²封装信息 | -40°C至+125°C |
功能接近器件
| MAX5054 | 4A、20ns、双MOSFET驱动器 |
| MAX5055 | 4A、20ns、双MOSFET驱动器 |
| MAX5056 | 4A、20ns、双MOSFET驱动器 |
- MAX5078 : 4A、20ns、MOSFET驱动器 MAX5078
- MAX5078 : 4A、20ns、MOSFET驱动器 MAX5078
