数据手册DataSheet 下载:BSS192 P沟道垂直D-MOS中间电平FET.pdf
中间电平P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用使用垂直D-MOS技术的塑料封装。该产品仅设计适合用于计算、通信、消费电子和工业应用。
产品特点
| 产品应用
功能框图 |
订购型号 | 封装 | Outline version | Reflow-/Wave soldering | 包装 | 产品状态 | 标示 | 订购器件的编号 |
BSS192 | (SOT89) | sot089_po | sot089_fr sot089_fw | Tape reel smd | 激活 | KB | BSS192,135( 9339 439 50135 ) |
订购型号 | 订购器件的编号 | RoHS / RHF | 无铅开始日期 | EFR | IFR (FIT) | MTBF(小时) | 潮湿敏感度等级 | MSL LF |
BSS192 | BSS192,135 | week 28, 2003 | 603.0 | 2.8 | 3.58E8 | 1 | 1 | |
BSS192 | BSS192,115 | week 28, 2003 | 603.0 | 2.8 | 3.58E8 | 1 | 1 |