HMC606-Die 宽带低相位噪声放大器芯片，2 - 18 GHz

HMC606是一款GaAs InGaP HBT MMIC分布式功率放大器裸片，工作频率范围为2至18 GHz。 该放大器具有12 GHz输入信号，在10 kHz失调下提供-160 dBc/Hz的超低相位噪声性能，与基于FET的分布式放大器相比有明显改善。 HMC606提供14 dB小信号增益、+27 dBm输出IP3和+15 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为64 mA（采用+5V电源）。 HMC606放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗，方便轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取，通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mil)的线焊连接。 应用

产品特点和性能优势
  • 超低相位噪声：
    -160 dBc/Hz( 10 kHz)
  • P1dB输出功率： +15 dBm
  • 增益： 14 dB
  • 输出IP3： +27 dBm
  • 电源电压： +5V (64mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 裸片尺寸： 2.11 x 1.32 x 0.10 mm
    • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC606 Die Data SheetPDF 678.32 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC606 量产CHIPS OR DIEOTH 25-55 至 85至74.7160.51Y
    HMC606-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-40 至 85至00Y
    参考资料
    Datasheet
    HMC606 Die Data Sheet hmc606-die
    Other
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    HMC606 Die S-Parameters hmc606-die
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: GaAs HBT-A (QTR: 2013-00228) hmc587
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
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