DS1230W：3.3V、256k非易失SRAM _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

DS1230W：3.3V、256k非易失SRAM

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电，写保护将无条件使能、以防数据被破坏。 DIP封装的DS1230W器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。PowerCap模块封装的DS1230W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
100ns的读写时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
JEDEC标准的28引脚DIP封装
PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

DS1230W：引脚分配

数据手册DataSheet

语言	下载文件	备注
英文	DS1230W.pdf	Rev 4; 11/2010

关键参数

Part Number	Memory Type	Memory Size	Bus Type	V_SUPPLY (V)	V_SUPPLY (V)	Package/Pins	Budgetary Price
Part Number	Memory Type	Memory Size	Bus Type	min	max	Package/Pins	See Notes
DS1230W	NV SRAM	32K x 8	Parallel	3	3.6	EDIP/28 PCAP/34	$13.58 @1k

技术资料

质量和环境数据

DS1230W.pdf

订购型号

型号	注	状况	推荐替代产品	封装	温度	RoHS/无铅
DS1230W-100	3.3V、100ns	停止供货	DS1230W-100+	EDIP,；28引脚；629.9mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1230W-100+		生产中		EDIP,；28引脚；629.9mm²	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅
DS1230W-100IND	3.3V、100ns	停止供货	DS1230W-100IND+	EDIP,；28引脚；629.9mm²	-40°C至+85°C	参考数据资料
DS1230W-100IND+		生产中		EDIP,；28引脚；629.9mm²	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅
DS1230W-150	3.3V、150ns	停止供货	DS1230W-100+	EDIP,；28引脚；629.9mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1230W-150+		生产中		EDIP,；28引脚；629.9mm²	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅
DS1230W-C03		停止供货	DS1230W-100+	EDIP,；28引脚；629.9mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1230WP-100	3.3V、100ns	停止供货	DS1230WP-100+	PCAP,；34引脚；596.9mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1230WP-100+		生产中		PCAP,；34引脚；596.9mm²	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅
DS1230WP-100IND	3.3V、100ns	停止供货	DS1230WP-100IND+	PCAP,；34引脚；596.9mm²	-40°C至+85°C	参考数据资料
型号	注	状况	推荐替代产品	封装：类型引脚占位面积封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？
DS1230WP-100IND+		生产中		PCAP,；34引脚；596.9mm²	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅
DS1230WP-150	3.3V、150ns	停止供货	DS1230WP-100+	PCAP,；34引脚；596.9mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1230WP-150+		生产中		PCAP,；34引脚；596.9mm²	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅