DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM,按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
| DS1249AB、DS1249Y:引脚分配 |
语言 | 下载文件 | 备注 |
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英文 | DS1249AB-DS1249Y.pdf | Rev 3; 11/2010 |
Part Number | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | VSUPPLY (V) | Package/Pins | Budgetary Price |
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min | max | See Notes | |||||
DS1249AB | NV SRAM | 256K x 8 | Parallel | 4.75 | 5.25 | EDIP/32 | $33.71 @1k |
DS1249Y | 4.5 | 5.5 | EDIP/32 | $34.68 @1k | |||
型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
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DS1249AB-100 | 5%容差、100ns | 停止供货 | DS1249AB-70# | EDIP,;32引脚;707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
DS1249AB-100# | 停止供货 | EDIP,;32引脚;707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 | ||
DS1249AB-70 | 5%容差、70ns | 停止供货 | DS1249AB-70# | EDIP,;32引脚;707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
DS1249AB-70# | 生产中 | EDIP,;32引脚;707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 | ||
DS1249AB-70IND | 5%容差、70ns | 停止供货 | DS1249AB-70IND# | EDIP,;32引脚;707.2mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
DS1249AB-70IND# | 生产中 | EDIP,;32引脚;707.2mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 | ||
DS1249AB-85 | 停止供货 | DS1249AB-70# | EDIP,;32引脚;707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 | |
DS1249AB-85# | 停止供货 | EDIP,;32引脚;707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 | ||
DS1249AB-85IND | 停止供货 | DS1249AB-70IND# | EDIP,;32引脚;707.2mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 | |
DS1249AB-85IND# | 停止供货 | EDIP,;32引脚;707.2mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |