DS1249Y：2048k非易失SRAM _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

DS1249Y：2048k非易失SRAM

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
70ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% VCC工作范围(DS1249Y)
可选择±5% VCC工作范围(DS1249AB)
可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
JEDEC标准的32引脚DIP封装

DS1249AB、DS1249Y：引脚分配

DS1249AB、DS1249Y：引脚分配

数据手册DataSheet

语言	下载文件	备注
英文	DS1249AB-DS1249Y.pdf	Rev 3; 11/2010

关键参数

Part Number	Memory Type	Memory Size	Bus Type	V_SUPPLY (V)	V_SUPPLY (V)	Package/Pins	Budgetary Price
Part Number	Memory Type	Memory Size	Bus Type	min	max	Package/Pins	See Notes
DS1249AB	NV SRAM	256K x 8	Parallel	4.75	5.25	EDIP/32	$33.71 @1k
DS1249Y	NV SRAM	256K x 8	Parallel	4.5	5.5	EDIP/32	$34.68 @1k

技术资料

订购型号

型号	注	状况	推荐替代产品	封装	温度	RoHS/无铅
DS1249Y-100	10%容差、100ns	停止供货	DS1249Y-70#	EDIP,；32引脚；707.2mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1249Y-100#		生产中		EDIP,；32引脚；707.2mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1249Y-70	10%容差、70ns	停止供货	DS1249Y-70#	EDIP,；32引脚；707.2mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1249Y-70#		生产中		EDIP,；32引脚；707.2mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1249Y-70IND	10%容差、70ns	停止供货	DS1249Y-70IND#	EDIP,；32引脚；707.2mm²	-40°C至+85°C	参考数据资料
DS1249Y-70IND#		生产中		EDIP,；32引脚；707.2mm²	-40°C至+85°C	参考数据资料
DS1249Y-85		停止供货	DS1249Y-70#	EDIP,；32引脚；707.2mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1249Y-85#		停止供货		EDIP,；32引脚；707.2mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1249Y-85IND		停止供货	DS1249Y-70IND#	EDIP,；32引脚；707.2mm²	-40°C至+85°C	参考数据资料
DS1249Y-85IND#		生产中		EDIP,；32引脚；707.2mm²	-40°C至+85°C	参考数据资料

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