A2G35S200-01S: 3400-3600 MHz，40 W平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管
A2G35S200-01SR3 40 W LDMOS射频功率晶体管专为频率范围为3400至3600 MHz之间的移动通信基站应用而设计。
特性
| NI-400S-2S Package Image |
数据手册 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| A2G35S200-01S 3400-3600 MHz, 30 W Avg, 48 V GaN Data Sheet (REV 0) PDF (347.3 kB) A2G35S200-01S [English] | 16 May 2016 |
应用说明 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
工程设计要点 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English] | 19 Jan 2004 |
选型工具指南 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
封装信息 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| 98ASA10732D, NI-C, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins (REV C) PDF (45.6 kB) 98ASA10732D [English] | 19 Jan 2016 |
订购信息
| 型号 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | 输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal | 测试信号 | 功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 效率 (Typ) (%) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 匹配 | 类型 | 模具技术 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A2G35S200-01SR3 | Active | 3400 | 3600 | 48 | 52.6 | 180 | 40 @ AVG | W-CDMA | 16.1 @ 3500 | 35.3 | 1.3 | Input | AB | GaN |
封装环保信息
| 封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | PPT (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NI-400S-240 | 98ASA10732D | MPQ - 250 REELPOQ - 250 BOX | Active | A2G35S200-01SR3 | A2G35S200-01SR3.pdf |   | 260 |
- AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
- Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
- RF Products Selector Guide MMT20303H
- 98ASA10732D, NI-C, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins A2G35S200-01S
- A2G35S200-01SR3.pdf A2G35S200-01S
