A2T18H450W19S: 1805-1880 MHz，89 W平均值，30 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

A2T18H450W19S: 1805-1880 MHz，89 W平均值，30 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管

特性

先进的高性能内部封装Doherty
专为宽瞬时带宽应用而设计
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
专为数字预失真纠错系统而设计
符合RoHS规范

NI-1230S-4S4S Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
A2T18H450W19S 1805-1880 MHz, 89 W Avg, 30 V Data Sheet (REV 0) PDF (221.3 kB) A2T18H450W19S [English]	08 Sep 2016

应用说明 (2)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages (REV 1) PDF (664.6 kB) AN1908 [English]	24 Feb 2011

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

订购信息

型号	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
A2T18H450W19SR6	Active	1805	1880	30	53	199	89 @ AVG	W-CDMA	16.5 @ 1880	47.7	0.27	I/O	AB, C	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	PPT (°C)
NI-1230S-4S4S	98ASA00155D	MPQ - 150 REELPOQ - 150 REEL	Active	A2T18H450W19SR6	A2T18H450W19SR6.pdf		260

A2T18H450W19S 1805-1880 MHz, 89 W Avg, 30 V Data Sheet A2T18H450W19S

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages MMRF1317H

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

98ASA00155D, NI-C, 32.26x10.16x4.45, Pitch 13.72, 9 Pins mrf8s18260h

A2T18H450W19SR6.pdf A2T18H450W19S

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