A2T18S260-12S: 1805-1995 MHz 50 W平均值，28 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

A2T18S260-12S: 1805-1995 MHz 50 W平均值，28 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管

特性

增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
为Doherty应用进行了优化
符合RoHS规范

NI-780S-2L2L Package Image

数据手册 (1)

名称/描述	Modified Date
A2T18S260-12S 1805-1995 MHz, 50 W Avg, 28 V Data Sheet (REV 0) PDF (761.9 kB) A2T18S260-12S [English]	13 Sep 2016

应用说明 (2)

名称/描述	Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]	29 Apr 2014
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages (REV 1) PDF (664.6 kB) AN1908 [English]	24 Feb 2011

工程设计要点 (1)

名称/描述	Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]	19 Jan 2004

选型工具指南 (1)

名称/描述	Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]	26 May 2016

封装信息 (1)

名称/描述	Modified Date
98ASA00517D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 24.28, 5 Pins (REV B) PDF (53.8 kB) 98ASA00517D [English]	24 Feb 2016

订购信息

型号	状态	Frequency Min (Min) (MHz)	Frequency Max (Max) (MHz)	供电电压 (Typ) (V)	P1dB (Typ) (dBm)	P1dB (Typ) (W)	输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	测试信号	功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)	效率 (Typ) (%)	热阻 (Spec)(°C/W)	匹配	类型	模具技术
A2T18S260-12SR3	Active	1805	1995	28	54.1	257	50 @ AVG	W-CDMA	18.9 @ 1805	30.1	0.36	I/O	AB	LDMOS

封装环保信息

封装说明	Outline Version	包装	产品状态	部件编号	化学成分	RoHS / Pb Free中国RoHS查询	PPT (°C)
NI-780S-2L2L	98ASA00517D	MPQ - 250 REELPOQ - 250 REEL	Active	A2T18S260-12SR3	联系我们	联系我们	260

A2T18S260-12S 1805-1995 MHz, 50 W Avg, 28 V Data Sheet A2T18S260-12S

AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages MMRF1317H

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n

RF Products Selector Guide MMT20303H

98ASA00517D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 24.28, 5 Pins AFT21S230-12S

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