A3T21H450W23S: 2110-2200 MHz,89 W平均值,31 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管

如需了解更多信息和样品供货情况,请联系当地的恩智浦销售机构或恩智浦授权代理商。

特性
  • 先进的高性能内部封装Doherty
  • 专为宽瞬时带宽应用而设计
  • 增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
  • 专为数字预失真纠错系统而设计
  • 符合RoHS规范
ACP-1230S-4L2S Package Image
工程设计要点 (1)
名称/描述Modified Date
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English]19 Jan 2004
支持信息 (1)
名称/描述Modified Date
RF Airfast Third-Generation Products and Solutions (REV 0) PDF (829.9 kB) AIRFAST_THIRD_GENERATION_TRN_SI [English]30 Sep 2016
订购信息
型号状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Typ) (V)P1dB (Typ) (dBm)P1dB (Typ) (W)输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal测试信号功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)效率 (Typ) (%)热阻 (Spec)(°C/W)匹配类型模具技术
PA3T21H450W23SIntroduction Pending211022003189 @ AVGW-CDMA15.5 @ 215549.5I/OAB, CLDMOS
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询PPT (°C)
ACP-1230S-4L2SMPQ - 250 REELPOQ - 250 REELIntroduction PendingPA3T21H450W23S联系我们联系我们260
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
RF Airfast Third-Generation Products and Solutions A3T21H450W23S