DS1270W：3.3V、16Mb非易失SRAM _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

DS1270W：3.3V、16Mb非易失SRAM

3.3V非易失SRAM，提供16Mb存储容量

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年
掉电期间数据被自动保护
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
100ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

DS1270W：引脚分配

DS1270W：引脚分配

应用

自动测试设备(ATE)
水电气表自动抄表
楼宇能源管理(HVAC)
电缆调制解调器
计算机：台式机、工作站和服务器
数字电视(接收机，机顶盒)
调制解调器(模拟、ISDN、DSL)
网络集线器、交换机和路由器
笔记本电脑
示波器
打印机与传真机
可编程逻辑控制器
存储系统
测试与测量设备

数据手册DataSheet

语言	下载文件	备注
英文	DS1270W.pdf	Rev 3; 11/2010

关键参数

Part Number	Memory Type	Memory Size	Bus Type	V_SUPPLY (V)	V_SUPPLY (V)	Package/Pins	Budgetary Price
Part Number	Memory Type	Memory Size	Bus Type	min	max	Package/Pins	See Notes
DS1270W	NV SRAM	2M x 8	Parallel	3	3.6	EDIP/36	$130.28 @1k

技术资料

质量和环境数据

DS1270W.pdf

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订购型号

型号	注	状况	推荐替代产品	封装	温度	RoHS/无铅
DS1270W-100	3.3V、100ns	停止供货	DS1270W-100#	EDIP,；36引脚；861.6mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1270W-100#		生产中		EDIP,；36引脚；861.6mm²	0°C至+70°C
DS1270W-100IND	3.3V、100ns	停止供货	DS1270W-100IND#	EDIP,；36引脚；861.6mm²	-40°C至+85°C	参考数据资料
DS1270W-100IND#		生产中		EDIP,；36引脚；861.6mm²	-40°C至+85°C
DS1270W-150	3.3V、150ns	停止供货	DS1270W-100#	EDIP,；36引脚；861.6mm²	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1270W-150#		停止供货	DS1270W-100#	EDIP,；36引脚；861.6mm²	0°C至+70°C

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