DS1249W：3.3V、2048kb非易失SRAM
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
| DS1249W：引脚分配 应用
|
数据手册DataSheet
| 语言 | 下载文件 | 备注 |
|---|---|---|
| 英文 | DS1249W.pdf | Rev 3; 11/2010 |
关键参数
| Part Number | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | VSUPPLY (V) | Package/Pins | Budgetary Price |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| min | max | See Notes | |||||
| DS1249W | NV SRAM | 256K x 8 | Parallel | 3 | 3.6 | EDIP/32 | $30.65 @1k |
技术资料
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- NV SRAM Device Programmers
- Timing Considerations When Using NVSRAM
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
- NV SRAM Frequently Asked Questions
质量和环境数据
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订购型号
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1249W-100 | 3.3V、100ns | 停止供货 | DS1249W-100# | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1249W-100# | 生产中 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 | ||
| DS1249W-100IND | 3.3V、100ns | 停止供货 | DS1249W-100IND# | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1249W-100IND# | 停止供货 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 | ||
| DS1249W-150 | 3.3V、150ns | 停止供货 | DS1249W-100# | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1249W-150# | 停止供货 | DS1249W-100# | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
- DS1249W.pdf DS1249W
- DS1249W.pdf DS1249W
- DS1249W.pdf DS1249W
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM DS1270Y
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- DS1249W.pdf DS1249W
- DS1249W.pdf DS1249W
