A2G22S160-01S: 1800-2200 MHz，32 W平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管
A2G22S160-01SR3 32 W LDMOS射频功率晶体管专为频率范围为1800至2200 MHz之间的移动通信基站应用而设计。
该部件的特征参数和性能适用于运行在1800–2200 MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。
特性
| NI-400S-2S Package Image |
数据手册 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| A2G22S160-01S 1800–2200 MHz, 32 W AVG., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor Data Sheet (REV 0) PDF (828.8 kB) A2G22S160-01S [English] | 07 May 2015 |
应用说明 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
工程设计要点 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English] | 19 Jan 2004 |
选型工具指南 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
封装信息 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| 98ASA10732D, NI-C, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins (REV C) PDF (45.6 kB) 98ASA10732D [English] | 19 Jan 2016 |
支持信息 (1)
| 名称/描述 | Modified Date |
|---|---|
| Airfast® RF Power GaN for Cellular: A2G22S160-01S (REV 0) PDF (304.1 kB) GAN_A2G22S160-01S_TRN_SI [English] | 07 May 2015 |
印刷电路板
- A2G22S160-01S PCB DXF file (REV 4) ZIP A2G22S160_01S_PCB 5/7/2015
订购信息
| 型号 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | 输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal | 测试信号 | 功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 效率 (Typ) (%) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 匹配 | 类型 | 模具技术 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A2G22S160-01SR3 | Active | 1800 | 2200 | 48 | 51 | 125 | 32 @ AVG | W-CDMA | 19.6 @ 2110 | 38 | 1.7 | Input | AB | GaN |
封装环保信息
| 封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | PPT (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NI-400S-240 | 98ASA10732D | MPQ - 250 REELPOQ - 250 BOX | Active | A2G22S160-01SR3 | A2G22S160-01SR3.pdf |   | 260 |
- AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
- Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices mrf1570n
- RF Products Selector Guide MMT20303H
- Airfast® RF Power GaN for Cellular: A2G22S160-01S A2G22S160-01S
- A2G22S160-01S PCB DXF file A2G22S160-01S
- 98ASA10732D, NI-C, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins A2G35S200-01S
- A2G22S160-01SR3.pdf A2G22S160-01S
