特性
| OM-1230-4L2S Package Image |
名称/描述 | Modified Date |
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A2T18H455W23N 1805-1880 MHz, 87 W Avg, 31.5 V Data Sheet (REV 0) PDF (430.3 kB) A2T18H455W23N [English] | 09 May 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English] | 29 Apr 2014 |
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages (REV 3) PDF (910.7 kB) AN1907 [English] | 13 May 2009 |
名称/描述 | Modified Date |
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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices (REV 0) PDF (171.0 kB) EB212 [English] | 19 Jan 2004 |
名称/描述 | Modified Date |
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RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English] | 26 May 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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98ASA00885D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 7 Pins (REV A) PDF (90.3 kB) 98ASA00885D [English] | 14 Mar 2016 |
型号 | 状态 | Frequency Min (Min) (MHz) | Frequency Max (Max) (MHz) | 供电电压 (Typ) (V) | P1dB (Typ) (dBm) | P1dB (Typ) (W) | 输出功率 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal | 测试信号 | 功率增益 (Typ) (dB) @ f (MHz) | 效率 (Typ) (%) | 热阻 (Spec)(°C/W) | 匹配 | 类型 | 模具技术 |
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A2T18H455W23NR6 | Active | 1805 | 1880 | 31.5 | 56.4 | 436 | 87 @ AVG | W-CDMA | 15.9 @ 1880 | 48.4 | 0.23 | I/O | AB, C | LDMOS |
封装说明 | Outline Version | 包装 | 产品状态 | 部件编号 | 化学成分 | RoHS / Pb Free中国RoHS查询 | MSL | PPT (°C) |
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OM-1230-4L2S | 98ASA00885D | MPQ - 150 REELPOQ - 150 BOX | Active | A2T18H455W23NR6 | A2T18H455W23NR6.pdf | 3 | 260 |