DS1265W：3.3V、8Mb非易失SRAM
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
| DS1265W：引脚分配 |
数据手册DataSheet
| 语言 | 下载文件 | 备注 |
|---|---|---|
| 英文 | DS1265W.pdf | Rev 3; 11/2010 |
| 勘误表 DS1265W | 1265WB.pdf |
关键参数
| Part Number | Memory Type | Memory Size | Bus Type | VSUPPLY (V) | VSUPPLY (V) | Package/Pins | Budgetary Price |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| min | max | See Notes | |||||
| DS1265W | NV SRAM | 1M x 8 | Parallel | 3 | 3.6 | EDIP/36 | $78.49 @1k |
技术资料
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- Timing Considerations When Using NVSRAM
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
- NV SRAM Frequently Asked Questions
质量和环境数据
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订购型号
| 型号 | 注 | 状况 | 推荐替代产品 | 封装 | 温度 | RoHS/无铅 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1265W-100 | 3.3V、100ns | 停止供货 | DS1265W-100+ | EDIP,；36引脚；861.6mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1265W-100+ | 生产中 | EDIP,；36引脚；861.6mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1265W-100IND | 3.3V、100ns | 停止供货 | DS1265W-100IND+ | EDIP,；36引脚；861.6mm² | -40°C至+85°C | 参考数据资料 |
| DS1265W-100IND+ | 生产中 | EDIP,；36引脚；861.6mm² | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅 | ||
| DS1265W-150 | 3.3V、150ns | 停止供货 | DS1265W-100+ | EDIP,；36引脚；861.6mm² | 0°C至+70°C | 参考数据资料 |
| DS1265W-150+ | 生产中 | EDIP,；36引脚；861.6mm² | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅 |
- DS1265W.pdf DS1265W
- 1265WB.pdf DS1265W
- DS1265W.pdf DS1265W
- DS1265W.pdf DS1265W
- Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM DS1270Y
- Timing Considerations When Using NVSRAM DS1350Y
- Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table DS1270Y
- NV SRAM Frequently Asked Questions DS1350Y
- DS1265W.pdf DS1265W
- 1265WB.pdf DS1265W
