L频段和S频段雷达设计现在可以同时利用双极性的功率密度和LDMOS技术的优势。结合业界领先的LDMOS技术与尖端的封装解决方案，我们开发出了性能与可靠性优于同类产品的晶体管和面板。
| 产品型号 | 描述 | 产品状态 |
|---|---|---|
| BLA6G1011(LS)-200R(G) | 功率LDMOS晶体管 | Production |
| BLA6H0912-500 | LDMOS航空电子雷达功率晶体管 | Production |
| BLA6H0912L(S)-1000 | LDMOS航空电子功率晶体管 | Production |
| BLA6H1011-600 | LDMOS avionics power transistor | Production |
| BLA8G1011L(S)-300(G) | Power LDMOS transistor | Production |
| BLF988(S) | 功率LDMOS晶体管 | Production |
| BLL6H0514-25 | LDMOS驱动器晶体管 | Production |
| BLU6H0410L(S)-600P | 功率LDMOS晶体管 | Production |
