我们广泛的RF晶体管产品组合的最新版本：QUBiC4 Si和SiGe:C晶体管。
这些新一代器件提供最佳的RF噪声系数与增益性能，电流损耗最低。该性能可实现低功耗下更出色的信号接收，使RF接收器在噪声环境下运行更稳定。
