GaN器件 ( 10 )

恩智浦具有30年以上提供RF功率晶体管的经验，通过安全可靠的主流供应链为无线基础设施、ISM（工业、科学和医疗）以及航空和国防应用供应GaNRF功率器件，引领工业市场。

恩智浦第1代GaN工艺技术具有一流的线性度，同时允许设计人员维持现有的功耗、耐用性和高效率等特性。因此，出色的放大器设计可最大程度减少元器件数并缩小放大器尺寸。恩智浦领先的后端装配厂始终致力于以尺寸更小、频段更宽的电路提供高功率密度的GaN。

恩智浦具有各种高性能GaN和LDMOS产品组合，是为您提供正确选择从而优化应用设计的不二之选。

图1. GaN演示产品组合

Application note

• Bias module for 50 V GaN demonstration boards (pdf) (2011-12-08)

Leaflet

• Gain a clear advantage as NXP takes GaN mainstream (pdf) (2013-04-02)

Line card

• Packages for RF Power Transistors (pdf) (2014-07-07)

Mounting and soldering

• Fatigue in aluminum bond wires (pdf) (2009-10-08)

White paper

• Switch-Mode RF PAs Using Chireix Outphasing (pdf) (2013-08-06)

Other type

• RF Manual 19th edition: Application and design manual for High Performance RF products May 2015 (pdf) (2015-05-19)
• RF Power Longevity Overview (pdf) (2014-09-09)